GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

发布时间: 2021-12-23 13:09:45 点击: 328

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

FT-300TZ两探针电阻率测试仪 

一、功能介绍:

适用于半导体材料企业、科研、高等院校及实验室分析半导体材料纵向电阻率可测量横截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,试样长度与截面尺寸之比应不小于3:1;配置测量平台,正反向电流测量模式;液晶显示,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,可选购PC软件实时数据和报表管理;提供中文或英文两种语言操作界面选择.

.参照标准:

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探针法;

SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探针法>>