GB/T 42271-2022半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
发布时间： 2023-08-23 11:04:49 点击： 551
GB/T 42271-2022半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
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半绝缘碳化硅单晶是一种半导体材料，具有高电阻率和宽禁带特性，被广泛应用于高压器件、射频器件和高温器件等领域。特别是在氮化镓射频器件、电力电子、微波射频器件、发光二极管等应用方面具有极大的潜力。
半绝缘碳化硅单晶的生长通常采用物理气相输运技术，如高温氯化物化学气相沉积法，其工艺复杂，设备昂贵，且生长速率极低。因此，半绝缘碳化硅单晶衬底材料的制备面临诸多挑战。
电阻率非接触测试方法是一种测量材料电阻率的方法，该方法不需要直接接触材料表面，而是通过测量材料表面的电特性来计算电阻率。这种测试方法适用于一些不能直接接触测量的情况，例如在高电压、高温或特殊环境下的材料测量。
常见的电阻率非接触测试方法包括：
电容法：该方法通过测量材料的电容来计算电阻率。通过改变电极之间的距离和电压，可以测量不同情况下的电容值，并由此计算出材料的电阻率。
磁阻法：该方法通过测量材料的磁阻来计算电阻率。在磁场中，通过测量导体中的电压和电流，可以计算出电阻率。
光学法：该方法通过测量材料的光学特性来计算电阻率。例如，通过测量材料的反射和透射光谱，可以计算出材料的电阻率。
