GB/T 3781.9-2019乙炔炭黑 第9部分:电阻率的测定
2023-08-23
GB/T 3781.9-2019乙炔炭黑 第9部分:电阻率的测定 乙炔炭黑的电阻率是用来表示这种材料的电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。电阻率的单位是欧姆·米（Ω·m）或欧姆·毫米（Ω·mm）。
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GB/T 37977.23-2019 静电学 第2-3部分：防静电固体平面材料电阻和电阻率的测试方法
2023-08-23
GB/T 37977.23-2019 静电学 第2-3部分：防静电固体平面材料电阻和电阻率的测试方法 包含了防静电固体平面材料电阻和电阻率的测试方法。该测试方法用于评估材料的防静电性能，以确保这些材料在特定的应用环境中能够有效地防*止静电积累和放电。
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GB/T 40007-2021纳米技术 纳米材料电阻率的接触式测量方法 通则
2023-08-23
GB/T 40007-2021纳米技术 纳米材料电阻率的接触式测量方法 通则 规定了纳米材料电阻率的接触式测量方法的通则。该标准适用于纳米材料，包括纳米颗粒、纳米纤维、纳米薄膜等。 该标准规定了纳米材料电阻率接触式测量的基本原理、测试条件、测试步骤、数据处理和测量不确定度评估等内容。 粉末电阻率测试仪方法是一种测量粉末电阻率的技术，主要采用四探针测量法。
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GB/T 39978-2021纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法
2023-08-23
GB/T 39978-2021纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法 GB/T 39978-2021纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法规定了采用四探针法测试试样厚度大于4倍探针间距的碳纳米管粉体电阻率的测试方法。该标准适用于碳纳米管粉体，其他碳材料的粉体电阻率测试可参考执行。 四探针法是测量碳纳米管粉体电阻率的一种方法。它使用四个探针，通过接触碳纳米管粉体试样，测量其电阻率。
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GB/T 31838.7-2021电阻特性(DC方法) 高温下测量体积电阻和体积电阻率
2023-08-23
GB/T 31838.7-2021电阻特性(DC方法) 高温下测量体积电阻和体积电阻率 GB/T 31838.7-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第7部分：电阻特性(DC方法) 高温下测量体积电阻和体积电阻率 规定了使用直流方法在高温下测量固体绝缘材料体积电阻和体积电阻率的测试方法。该标准适用于评估高温下固体绝缘材料的电性能。
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GB/T 31838.5固体绝缘材料 介电和电阻特性 第5部分：电阻特性(DC方法) 浸渍和涂层材料的体积电阻和体积电阻率
2023-08-23
GB/T 31838.5-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第5部分：电阻特性(DC方法) 浸渍和涂层材料的体积电阻和体积电阻率 GB/T 31838.5-2021规定了固体绝缘材料介电和电阻特性的测试方法。该标准适用于评估浸渍和涂层材料的电阻特性，包括体积电阻和体积电阻率。
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GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
2023-08-23
GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1551-2021《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》是一个标准，它规定了使用直排四探针法和直流两探针法测定硅单晶电阻率的测试方法。 直排四探针法适用于测试电阻率为0.01Ω·cm到1000Ω·cm的硅单晶，而直流两探针法适用于测试电阻率为10-4Ω·cm到100Ω·cm的硅单晶。
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GB/T 40719-2021硫化橡胶或热塑性橡胶 体积和/或表面电阻率的测定
2023-08-23
GB/T 40719-2021硫化橡胶或热塑性橡胶 体积和/或表面电阻率的测定 GB/T 40719-2021是关于硫化橡胶或热塑性橡胶体积和/或表面电阻率测定的推荐标准。该标准规定了使用四电极系统测量硫化橡胶或热塑性橡胶的体积电阻率和表面电阻率的测试方法。以下是该标准的主要内容：
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GB/T 41708-2022玻璃熔体电阻率试验方法
2023-08-23
GB/T 41708-2022玻璃熔体电阻率试验方法 GB/T 41708-2022规定了玻璃熔体电阻率的测量方法。 范围：该标准规定了玻璃熔体电阻率测量的测量原理、仪器设备及辅*助工具、试样制备、试验步骤、测试结果处理和试验报告。 试验方法：标准中采用四电极方法测量玻璃熔体电阻率。
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GB/T 41232.3纳米制造 关键控制特性 纳米储能 第3部分：纳米材料接触电阻率和涂层电阻率的测试
2023-08-23
GB/T 41232.3-2023纳米制造 关键控制特性 纳米储能 第3部分：纳米材料接触电阻率和涂层电阻率的测试 接触电阻率和涂层电阻率的测试是纳米材料表征的重要部分常用的测试方法： 四探针法：四探针法是一种常用的测量半导体材料电阻率的简单方法。这种方法使用四个探针同时接触材料表面，避免了使用电极时可能会引入的接触电阻。电阻率的计算公式为ρ = √(π*a/t)，其中a是探针间距，t是探针的测量电流。
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