GB/T 5167-2018烧结金属材料和硬质合金 电阻率的测定
2023-08-23
GB/T 5167-2018烧结金属材料和硬质合金 电阻率的测定 GB/T 5167-2018烧结金属材料和硬质合金电阻率的测定是烧结金属材料和硬质合金的电阻率测试方法的标准。该标准规定了烧结金属材料和硬质合金的电阻率测定方法和相关要求。 根据该标准，烧结金属材料和硬质合金的电阻率测定采用四电极法。试样被制成圆柱形，直径较大的一端接触四个电极，并置于绝缘平板上。通过测量电极之间的电压和电流，计算出试样的电阻率。
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GB/T 16427-2018粉尘层电阻率测定方法
2023-08-23
GB/T 16427-2018粉尘层电阻率测定方法 GB/T 16427-2018粉尘层电阻率测定方法的具体内容如以下所述： 范围：本标准规定了测定粉尘层电阻率的方法。本标准适用于测定粉尘层电阻率的实验室试验。 规范性引用文件：GB/T 16427-2018引用了以下文件：GB/T 16427-1996。 粉尘的定义：本标准修改了粉尘的定义。粉尘是物质在气动或机械运动过程中，悬浮于空气中的微小颗粒物。 测定电路：本标准修改了测定电路的内容。测定电路由沉积在绝缘平板上的一层粉尘构成，粉尘由气体或液体雾化形成。
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GB/T 351-2019金属材料 电阻率测量方法
2023-08-23
GB/T 351-2019金属材料 电阻率测量方法 适用于测量金属材料的电阻率。该标准提供了两种测量方法：标准条件下测量和在温度变化条件下测量的方法。具体的方法包括以下步骤：
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GB/T 3781.9-2019乙炔炭黑 第9部分:电阻率的测定
2023-08-23
GB/T 3781.9-2019乙炔炭黑 第9部分:电阻率的测定 乙炔炭黑的电阻率是用来表示这种材料的电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。电阻率的单位是欧姆·米（Ω·m）或欧姆·毫米（Ω·mm）。
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GB/T 37977.23-2019 静电学 第2-3部分：防静电固体平面材料电阻和电阻率的测试方法
2023-08-23
GB/T 37977.23-2019 静电学 第2-3部分：防静电固体平面材料电阻和电阻率的测试方法 包含了防静电固体平面材料电阻和电阻率的测试方法。该测试方法用于评估材料的防静电性能，以确保这些材料在特定的应用环境中能够有效地防*止静电积累和放电。
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GB/T 40007-2021纳米技术 纳米材料电阻率的接触式测量方法 通则
2023-08-23
GB/T 40007-2021纳米技术 纳米材料电阻率的接触式测量方法 通则 规定了纳米材料电阻率的接触式测量方法的通则。该标准适用于纳米材料，包括纳米颗粒、纳米纤维、纳米薄膜等。 该标准规定了纳米材料电阻率接触式测量的基本原理、测试条件、测试步骤、数据处理和测量不确定度评估等内容。 粉末电阻率测试仪方法是一种测量粉末电阻率的技术，主要采用四探针测量法。
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GB/T 39978-2021纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法
2023-08-23
GB/T 39978-2021纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法 GB/T 39978-2021纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法规定了采用四探针法测试试样厚度大于4倍探针间距的碳纳米管粉体电阻率的测试方法。该标准适用于碳纳米管粉体，其他碳材料的粉体电阻率测试可参考执行。 四探针法是测量碳纳米管粉体电阻率的一种方法。它使用四个探针，通过接触碳纳米管粉体试样，测量其电阻率。
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GB/T 31838.7-2021电阻特性(DC方法) 高温下测量体积电阻和体积电阻率
2023-08-23
GB/T 31838.7-2021电阻特性(DC方法) 高温下测量体积电阻和体积电阻率 GB/T 31838.7-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第7部分：电阻特性(DC方法) 高温下测量体积电阻和体积电阻率 规定了使用直流方法在高温下测量固体绝缘材料体积电阻和体积电阻率的测试方法。该标准适用于评估高温下固体绝缘材料的电性能。
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GB/T 31838.5固体绝缘材料 介电和电阻特性 第5部分：电阻特性(DC方法) 浸渍和涂层材料的体积电阻和体积电阻率
2023-08-23
GB/T 31838.5-2021固体绝缘材料 介电和电阻特性 第5部分：电阻特性(DC方法) 浸渍和涂层材料的体积电阻和体积电阻率 GB/T 31838.5-2021规定了固体绝缘材料介电和电阻特性的测试方法。该标准适用于评估浸渍和涂层材料的电阻特性，包括体积电阻和体积电阻率。
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GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
2023-08-23
GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1551-2021《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》是一个标准，它规定了使用直排四探针法和直流两探针法测定硅单晶电阻率的测试方法。 直排四探针法适用于测试电阻率为0.01Ω·cm到1000Ω·cm的硅单晶，而直流两探针法适用于测试电阻率为10-4Ω·cm到100Ω·cm的硅单晶。
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